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技術文獻:真空沉積法制備PeLED,外部量子效率超過10%!

 更新時間:2023-05-06 點擊量:810

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主要內容

盡管真空沉積金屬鹵化物鈣鈦礦發(fā)光二極管(PeLED)在大面積高色域顯示器中的應用前景廣闊,但真空沉積制備PeLED的效率目前落后于溶液法制備的同類產(chǎn)品。

在這篇文章中,研究人員通過在高真空下優(yōu)化沉積前軀體的化學配比,并為鈣鈦礦發(fā)射層(EML)沉積超薄上下層,最終制備了高效的PeLED。與大多數(shù)真空沉積有機發(fā)光器件的情況相反,這些鈣鈦礦EML的性能受到上層及預成型材料的存在和性質的高度影響,從而能夠提高所得器件的性能。通過消除鈣鈦礦EML中的Pb°形成和鈍化缺陷,以獲得光滑平坦的幾何形狀,使得PeLED實現(xiàn)了10.9%的出色外部量子效率(EQE)。當集成出光耦合結構時,達到21.1%,突破了真空沉積PeLED的10%EQE里程碑。


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其中我公司代理的SETFOS模擬仿真軟件在研究過程中提供PeLED光學模擬


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產(chǎn)品推薦-Setfos模擬仿真軟件

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文獻信息

Vacuum-Deposited Inorganic Perovskite Light-Emitting Diodes with External Quantum Efficiency Exceeding 10% via Composition and Crystallinity Manipulation of Emission Layer under High Vacuum

Chung-An Hsieh, Guang-Hsun Tan, Yung-Tang Chuang, Hao-Cheng Lin, Po-Ting Lai, Pei-En Jan, Bo-Han Chen, Chih-Hsuan Lu, Shang-Da Yang, Kai-Yuan Hsiao, Ming-Yen Lu, Li-Yin Chen, Hao-Wu Lin

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