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電池電極應(yīng)力測(cè)試系統(tǒng)

描述:電池電極應(yīng)力測(cè)試系統(tǒng),采用多光束光學(xué)傳感器系統(tǒng)(kSA MOS)原位實(shí)時(shí)應(yīng)力測(cè)量分析,可研究鋰離子電池反應(yīng)動(dòng)力學(xué)過(guò)程中或在正常使用過(guò)程中內(nèi)部會(huì)產(chǎn)生應(yīng)力,對(duì)其電化學(xué)性能的影響;即就是在充放電過(guò)程中鋰離子電池外殼表面的應(yīng)力變化,得到了充放電循環(huán)中鋰離子電池電極表面的應(yīng)力大小與電荷狀態(tài)的關(guān)系;進(jìn)而分析充放電過(guò)程中應(yīng)力變化的異同,即產(chǎn)生不可逆應(yīng)力,充放電曲線不重合。

更新時(shí)間:2024-07-04
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品牌其他品牌產(chǎn)地類別進(jìn)口
應(yīng)用領(lǐng)域環(huán)保,化工,生物產(chǎn)業(yè),能源,電子

電池電極應(yīng)力測(cè)試系統(tǒng)

電池電極應(yīng)力測(cè)試系統(tǒng),采用多光束光學(xué)傳感器系統(tǒng)(kSA MOS)原位實(shí)時(shí)應(yīng)力測(cè)量分析,可研究鋰離子電池反應(yīng)動(dòng)力學(xué)過(guò)程中或在正常使用過(guò)程中內(nèi)部會(huì)產(chǎn)生應(yīng)力,對(duì)其電化學(xué)性能的影響;即就是在充放電過(guò)程中鋰離子電池外殼表面的應(yīng)力變化,得到了充放電循環(huán)中鋰離子電池電極表面的應(yīng)力大小與電荷狀態(tài)的關(guān)系;進(jìn)而分析充放電過(guò)程中應(yīng)力變化的異同,即產(chǎn)生不可逆應(yīng)力,充放電曲線不重合。

原位薄膜應(yīng)力測(cè)量系統(tǒng)kSA MOS Film Stress Measurement System,又名原位薄膜應(yīng)力計(jì)或原位薄膜應(yīng)力儀!


采用非接觸激光MOS技術(shù);不但可以對(duì)樣品表面應(yīng)力分布進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析,而且還可以進(jìn)行樣品表面二維應(yīng)力、曲率成像分析;客戶可自行定義選擇使用任意一個(gè)或者一組激光點(diǎn)進(jìn)行測(cè)量;并且這種設(shè)計(jì)始終保證所有陣列的激光光點(diǎn)始終在同一頻率運(yùn)動(dòng)或掃描,從而有效的避免了外界振動(dòng)對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響;同時(shí)提高了測(cè)試的分辨率;適合各種材質(zhì)和厚度薄膜應(yīng)力分析;

典型用戶:如Harvard University 2套,Stanford University,Johns Hopkins University,Brown University 2套,Karlsruhe Research Center,Max Planck Institute,西安交通大學(xué),中國(guó)計(jì)量科學(xué)院等、半導(dǎo)體和微電子制造商(如IBM.,Seagate Research Center,Phillips Semiconductor,NEC,Nissan ARC,Nichia Glass Corporation)等;


相關(guān)產(chǎn)品:
 *實(shí)時(shí)原位薄膜應(yīng)力儀(kSA MOS Film Stress Tester):同樣采用多光束MOS技術(shù),可裝在各種真空沉積設(shè)備上(如:MBE, MOCVD, sputtering, PLD, PECVD, and annealing chambers ects),對(duì)于薄膜生長(zhǎng)過(guò)程中的應(yīng)力變化進(jìn)行實(shí)時(shí)原位測(cè)量和二維成像分析;
 *薄膜熱應(yīng)力測(cè)量系統(tǒng)(kSA MOS Thermal-Scan Film Stress Tester)
 *薄膜應(yīng)力測(cè)量系統(tǒng)(kSA MOS Film Stress Measurement System)


設(shè)備名稱:

kSA MOS Film Stress Tester, kSA MOS Film Stress Measurement System,kSA MOS Film Stress Mapping System;


主要特點(diǎn):

  1.MOS 多光束傳感器技術(shù);
  2.單Port(樣品正上方)和雙Port(對(duì)稱窗口)系統(tǒng)設(shè)計(jì);
  3.適合MOCVD, MBE, Sputter,PLD、蒸収系統(tǒng)等各種真空薄膜沉積系統(tǒng)以及熱處理設(shè)備等;
  4.薄膜應(yīng)力各向異性測(cè)試和分析功能;
  5.生長(zhǎng)速率和薄膜厚度測(cè)量;(選件)
  6.光學(xué)常數(shù)n&k 測(cè)量;(選件)
  7.多基片測(cè)量功能;(選件)
  8.基片旋轉(zhuǎn)追蹤測(cè)量功能;(選件)
  9.實(shí)時(shí)光學(xué)反饋控制技術(shù),系統(tǒng)安裝時(shí)可設(shè)置多個(gè)測(cè)試點(diǎn);
  10.優(yōu)化設(shè)計(jì)免除了測(cè)量丌受真空系統(tǒng)振動(dòng)影響;


測(cè)試功能:

   1.實(shí)時(shí)原位薄膜應(yīng)力測(cè)量
  2.實(shí)時(shí)原位薄膜曲率測(cè)量
  3.實(shí)時(shí)原位應(yīng)力*薄膜厚度曲線測(cè)量
  4.實(shí)時(shí)原位薄膜生長(zhǎng)全過(guò)程應(yīng)力監(jiān)控等





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